中国光刻机5nm生产技术还需要多久才能突破

月初，一则中科院5nm激光光刻技术突破的新闻火了起来。在很多无良媒体的口中，这个消息完全变了味，给人的感觉是中国很快就会有自己的5 nm光刻机，但真实情况完全不同。先说说这个新闻的真实内容，中国光刻机还需要多久才能在5nm生产技术上有所突破。

中科院的5nm光刻技术和光刻机关系不大。其实中科院5nm激光光刻技术突破的新闻源是中科院网站上的一篇论文。文章的主要内容其实是微纳加工领域的一个进展，中心思想是超高精度无掩模激光直接雕刻。因为文章中用了一个叫光刻的词，这就直接翻译成了光刻的意思。再加上5nm的数值，很容易认为中科院在5nm光刻机上有所突破。由于一些自媒体翻译错误，以及想煽动公众情绪获取大量流量，导致这一错误消息被广泛传播和转发，误导了很多关心国内光刻机发展的朋友。

论文和完全商业化是两回事。事实上，即使论文真的是关于光刻机的突破，也不容易实现完全商业化。前段时间碳基芯片的概念也搜了一阵子。碳基芯片具有成本更低、功耗更低、效率更高的优势，将来可能会用在我们的手机或者电脑芯片上。为什么热度没有持续？主要原因是其商业化遥遥无期。碳基芯片还处于实验室阶段，完全商业化至少还需要20年，这意味着它们与主流的硅基芯片没有竞争力。同理，即使中科院的论文是5nm左右的光刻机技术，也不知道要多久才能实现全面商用。

中国和荷兰的ASML差距至少有十年。目前国内最好的光刻机厂商应该是上海微电子，目前生产最好的光刻机也只有90nm工艺。虽然有传言称，上海微电子明年将推出全新的28纳米光刻机，但与ASML的EUV光刻机精度仍有很大差距。中国生产5nm光刻机最大的困难是自主研发。这不仅意味着我们需要跨越从28nm到5nm的巨大障碍，而且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利，只能发展自己的光刻机之路。需要满足这么多条件，研发难度可想而知。总的来说，中国光刻机技术短时间内取得重大突破的概率为零，人家还是要牵着我们的鼻子走。任何时候都是真的，落后就要挨打，卡脖子。只希望我们国家的科研人员能迎头赶上，早日有所突破。

5me掩模对准器是多少纳米

5纳米。5 nm光刻机的本义应该是可以实现5 nm工艺的光刻机，是EUV极紫外光刻机。EUV使用13.5纳米远紫外激光源，其比193纳米深紫外光源具有更强的DUV掩模对准能力。

纳米(符号:nm)，即纳米，是长度的计量单位。1纳米=10减9米。一纳米相当于原子大小的四倍，比单个细菌的大小小很多。由于纳米材料具有表面效应、小尺寸效应和宏观量子隧穿效应，即纳米效应，纳米材料会表现出传统材料所不具备的奇特或异常的物理化学特性。纳米技术是研究结构尺寸在1到100纳米之间的材料的性质和应用。它的发展导致了许多新兴学科，如纳米电子学、纳米物理学、纳米化学、纳米生物学、纳米加工和纳米计量学。

5纳米光刻机是什么意思

是指可以制造5纳米芯片的机器。光刻机又称掩模对准曝光机，用于芯片生产中的光刻工艺，而光刻工艺是生产过程中最关键的一步，所以光刻机是芯片生产中不可或缺的设备。一般来说，掩模对准器用于制造芯片。5nm是指处理器的处理工艺。(补充:晶体管之间的距离，距离越小，晶体管越多，性能越好。

世界上有多少个5纳米掩模对准器

15000个。在5 nm光刻机的介绍中，全球有15000套。光刻工艺包括清洗和干燥硅晶片表面、涂底漆、旋涂光刻胶、软烘烤、对准曝光、后烘烤、显影、硬烘烤和蚀刻。