...它与处理信息的电子设备相比有什么特点？

电力电子器件(PowerElectronicDevice)又称功率半导体器件，主要用于电力设备的功率变换和控制电路(通常指电流几十到几千安培，电压几百伏以上的大功率电子器件)。

1.根据电力电子器件受控制电路信号控制的程度，分为半控器件，如晶闸管；全控器件，如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(巨晶体管)、PowerMOSFET(功率场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)；不受控制的设备，如功率二极管。

2.根据驱动电路在电力电子器件的控制端和公共端之间所加信号的性质，分为电压驱动型器件，如IGBT、功率MOSFET和SITH(静电感应晶闸管)；电流驱动器件，如晶闸管、GTO和GTR。

3.根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形，分为脉冲触发型，如晶闸管和GTO；电控型，如GTR、功率MOSFET、IGBT。

4.根据电力电子器件中电子和空穴两种载流子参与导电的情况，分为双极型器件，如功率二极管、晶闸管、g to和GTO；单极器件，如功率MOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；复合器件，如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、西斯和IGCT。

特点:

功率二极管:结构和原理简单，工作可靠。

晶闸管:承受电压和电流的能力是所有器件中最高的。

IGBT:高开关速度、低开关损耗、抗脉冲电流冲击、低通态压降、高输入阻抗、电压驱动、低驱动功率；缺点:开关速度低于功率MOSFET，电压电流容量低于GTO。

GTR:耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和电压降低；缺点:开关速度低，电流驱动，驱动功率大，驱动电路复杂，二次击穿问题。

GTO:电压电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，通流能力强。

电流关断的增益很小，栅极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。

功率MOSFET:开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率低，驱动电路简单，工作频率高，无二次击穿问题；缺点:电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子器件。

约束条件:耐受电压、电流容量和开关速度。

扩展数据

1.随着电力电子技术应用的不断发展，对电力电子器件的性能指标和可靠性要求越来越高。具体来说，要求电力电子器件具有更高的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的通态压降和更快的开关时间，对于航空航天和军事应用，还要求具有更强的抗辐射和抗振动冲击能力。

上述要求更为迫切，尤其是在航天、航空、船舶、输变电、机车、装甲车辆等条件苛刻的应用领域。

2.在接下来的几年里，虽然以硅为半导体材料的双极功率器件和场控功率器件已经成熟，但是各种新结构和新工艺的引入仍然可以进一步提高其性能，Coolmos、各种改进的IGBT和IGCT都具有相当的生命力和竞争力。

3.电力电子器件的智能化应用也在不断的研究中取得了实质性的成果。国外一些制造企业开发了相应的IPM智能功率模块，结构简单，功能齐全，运行可靠性高，具有自诊断和保护功能。

4.碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新型高频器件发展迅速，部分器件有望在不久的将来实现商业化。总部位于美国北卡罗来纳州的CREE已经实现了商用SiC二极管和MOSFET。

但由于材料和制造工艺上的问题，还需要大量的研究投入和时间来逐步解决。北卡罗来纳州立大学的FREEDM中心正在研究这项技术。

参考来源:百度百科-电力电子

参考资料来源:百度百科-电力电子器件

什么是垂直导电结构以及MOS管中的知识

为了提高MOS管的电特性，尤其是耐压和电流能力，大部分功率MOSFET都采用垂直导电。形成在P基极区和N漂移区之间的PN结J1反向，并且没有电流在漏极和源极之间流动。

传导:在栅极和源极之间施加正电压UGS，栅极是绝缘的，因此没有栅极电流流动。但栅极的正电压会推开其下方P区的空穴，将P区的少数载流子——电子吸引到栅极下方P区的表面。

当UGS大于UT(导通电压或阈值电压)时，栅下P区表面的电子浓度会超过空穴浓度，使P型半导体反型为N型反型层，形成N沟道，使PN结J1消失，漏源导通。

什么是cool mos

COOLMOSIC是PWM+MOSFET的二合一芯片，主要特点是

1)FET的耐压为650V，ICE2A365的导通电阻为0.5ω；

2)无需增加散热器即可输出较大功率，具体输出功率见表1；

3)具有过压保护、欠压保护、过温保护和过流保护，并具有自恢复功能；

4)能自动降低待机状态和空载状态下的工作频率，从而降低损耗。最小工作频率为21.5kHz，以避免听得见的噪音；

5)电路结构简单，所需外部元件少，大大减小了开关电源的体积和重量。

COOLMOS和普通VDmos有什么区别

COOLMOS，也就是superjunctionMOS，因为大家都习惯用英飞凌的名字，所以一直叫cool mos。超结MOS可能更合适。美国飞利浦公司的D.J.Coe申请了美国专利号USPat:4754310，首次提出基于LDMOS结构，将原来掺杂单一光浓度的漂移区改为交替的pn结构，有效降低了导通电阻，保持了器件耐压。如图1所示，在传统LDMOS原有的漂移区中，单一的轻掺杂漂移区被交替的pn结构所取代，LDMOS的漏极是高掺杂的n+区，直接连接到交替的pn漂移区。